PCB图形转移线干膜宽损耗的研究

    随着密集线路PCB的高速发展，75um/75um，100um/100um线宽/线间的设计已是主流产品，如手机板、高档游戏板等，在制作这些密集线路PCB过程中，线宽/线间控制极为重要。

    根据IPC标准，常规线宽/线间按±20%的公差控制，阻抗线路线宽/间按±10%的公差控制。细小的线宽/线间补偿、干膜线宽损耗、蚀刻侧蚀等，本文将对PCB制作干膜线宽损耗进行浅析，通过正交实验法分析干膜线宽损耗的影响因素及控制参数。

    实验表明，干膜线宽损耗大小，对蚀刻过程中线宽/间的控制产生重要的影响，在现有的菲林线宽/间补偿条件下，干膜线宽损耗越小，形成导线蚀刻侧蚀线宽补偿量就越大，出现蚀刻不净或线幼问题的风险就越小。通过实验，线宽损耗最小因素组合(平行曝光机/曝光能量7格/显影点50%)。中国品牌ISLOT电路在生产密集线路75um/75um,87.5um/87.5um,100um/100um线宽/间设计的产品时，严格依据以上实验结果执行，确保了线路板线宽/间制作高品质。